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QT-8400 功率器件多Site测试系统
探索第三代半导体的无限可能

测试主机

GaN

Power Device

QT-8400 由测试主机与测试站 Test Kit 组成，
其中 Test Kit 分为两种：Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit
可根据需求进行选择

  • Power Device Test Kit

    面向 MOSFET/SIC、二极管、三极管等 CP 测试需求的 Power Device Test Kit.

  • GaN Test Kit

    面向氮化镓测试需求的 GaN Test Kit.

105cm
站姿键盘高度
75cm
坐姿键盘高度
创新标识设计
站坐快速切换
触动人心的
用户体验
8400机箱从人体工学设计出发针对设计公司、实验室和封测厂等不同环境场所，满足了用户站姿与坐姿不同状态下的键盘操作使用需求，我们设计了独有的指引标识线，能让用户快速的找到站立或坐姿时推荐的键盘高度，也可根据个人身高差异自行微调，极大提升了操作舒适性和效率。

* 已申请专利

创新标识设计
站坐快速切换
触动人心的
用户体验
8400机箱从人体工学设计出发针对设计公司、实验室和封测厂等不同环境场所，满足了用户站姿与坐姿不同状态下的键盘操作使用需求，我们设计了独有的指引标识线，能让用户快速的找到站立或坐姿时推荐的键盘高度，也可根据个人身高差异自行微调，极大提升了操作舒适性和效率。

* 已申请专利

105cm
站姿键盘高度
75cm
坐姿键盘高度
并行测试，效率倍增
支持 2/4/8/16 Site并行测试，满足客户对更高测试效率的需求。
测试需求，全方位覆盖
QT-8400 整机提供 20A/100A、1KV/2KV 的技术指标，能够满足大多数第三代半导体的测试需求。如果客户有更高规格的需求，我们还支持扩展高压/直流模组，最高可达 8KV, 2000A。对于有动态测试需求的用户，我们还提供雪崩、RGCG，动态 RDson 等模组的扩展，并计划未来兼容更多的动态测试模组。

QT-8400 GaN

QT-8400 D

测试范围

专用于氮化镓动静态电参数测试

测试范围

专用于 MOSFET/SIC 、二极管、三极管、IGBT等 CP测试。

参数指标

悬浮 V/I 源
电压 1KV/2KV
20-100A；

参数指标

悬浮 V/I 源
电压1KV/2KV/3KV
20-100A/200A

并行测试数

2/4/8/16 Site

并行测试数

2/4/8/16 Site

可扩展动态模组

LCR测试模组（CG）
动态 RDSON 模组（支持硬切和软切）

可扩展动态模组

雪崩测试模组（UIS、EAS）
LCR测试模组（RG、CG）

可扩展高压/直流模组

最高可扩展8KV, 2KA

可扩展高压/直流模组

最高可扩展8KV, 2KA

精准测量

Power Device Test Kit内置精密测量电路，实现nA级和mΩ级的精准测量。

精准测量

GaN Test Kit内置精密测量电路，实现nA级和mΩ级的精准测量。

板卡资源灵活搭配
我们的设备采用可插拔式板卡架构，允许您根据需求灵活搭配板卡，从而实现精准把控测试成本。
功能全面，满足各类需求
测试主机板卡均为四象限V/I源，配备AWG和示波器，功能全面，满足如 I-V 曲线等各类扫描测试需求。

内置示波器图

AWG编辑器
PTS OS 直观易用，
专为测试&生产而设计
我们对 QT-8400 PTS OS 软件界面全面优化，以提升实用性、美观性和易用性。极大提高测试开发、生产以及调试校准效率，使用户轻松上手高效操作。

* 已申请专利

中国广东省佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号
0757 83207313 (销售)
0757 83208786 (销售)
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